L’essentiel
Le Samsung 990 EVO Plus 1To est un SSD NVMe M.2 2280 qui exploite une interface dual-mode PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2, pour des débits allant jusqu'à 7 150 Mo/s en lecture et 6 300 Mo/s en écriture. Positionné entre l'entrée de gamme Gen 3 et les SSD PRO sans cache DRAM, il s'appuie sur la technologie HMB et le TurboWrite 2.0 de Samsung pour maintenir des performances stables sans surcoût. 600 To TBW et garantie 5 ans complètent une proposition solide pour le gaming et le travail quotidien.
NVMe PCIe
PCIe Gen4
Interface Disque
M.2
Capacité stockage
1To
Vitesse d'Écriture
06300 Mo/s
Vitesse de Lecture
07100 Mo/s
Type de Refroidissement
Passif
Samsung
990 EVO Plus 1To M.2
- Réf. 04904284
- EAN 8806095575674
- Réf. constr. MZ-V9S1T0BW
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Fiche détaillée du produit
Caractéristiques
| Interface Disque | M.2 |
|---|---|
| Capacité stockage | 1To |
| NVMe PCIe | PCIe Gen4 |
| PCIe carte d'Extension | PCIe 4.0 |
| Type de Refroidissement | Passif |
| Vitesse de Lecture | 07100 Mo/s |
| Vitesse d'Écriture | 06300 Mo/s |
| Marque | Samsung |
|---|---|
| Numéro du modèle de l'article | MZ-V9S1T0BW |
| Séries | 990 EVO Plus |
| Couleur | Noir |
| Système d'exploitation | Windows |
| Taille du disque dur | 1 To |
| Technologie du disque dur | Disque SSD |
| Interface du disque dur | NVMe |
| Taille de l'écran | 16 Pouces |
| Interface du matériel informatique | PCIE x 4 |
| Type de connecteur | PCIe |
| Compatibilité du périphérique | Ordinateur portable, Ordinateur de bureau |
| Dimensions de l'article L x L x H | 8 x 2.2 x 0.3 centimètres |
| Poids du produit | 9 Grammes |
| Divers | Chiffrement matériel |
Une interface dual-mode PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2
Le 990 EVO Plus utilise une interface hybride inédite : PCIe 4.0 en mode x4 sur les plateformes classiques, ou PCIe 5.0 en mode x2 sur les cartes mères récentes équipées d'un slot Gen 5. Dans les deux configurations, les débits sont équivalents, mais le mode Gen 5 x2 réduit la consommation d'énergie en n'utilisant que deux voies à plus haute fréquence. Un choix d'architecture qui prolonge la compatibilité du SSD sur plusieurs générations de plateformes Intel et AMD.
7 150 Mo/s en lecture grâce au HMB Samsung
Sans module DRAM embarqué, le 990 EVO Plus compense via la technologie HMB (Host Memory Buffer), qui utilise une portion de la RAM système comme cache de table de correspondance. Samsung optimise cette implémentation pour limiter l'écart de performances par rapport aux SSD avec DRAM sur les workloads courants. En lecture séquentielle, le SSD atteint 7 150 Mo/s, et jusqu'à 6 300 Mo/s en écriture séquentielle sur la version 1 To.
Intelligent TurboWrite 2.0 pour les gros transferts
La technologie TurboWrite 2.0 réserve une portion de la NAND en SLC pour absorber les pics d'écriture à haute vitesse. Tant que ce buffer n'est pas saturé, les vitesses d'écriture restent au maximum. Sur les fichiers de taille modérée — sauvegardes, installations de jeux, exports vidéo — la différence se sent immédiatement. Au-delà du buffer, les écritures ralentissent, ce qui est inhérent à toutes les architectures sans DRAM de ce segment.
1 To pour un upgrade polyvalent
Avec 1 To, le 990 EVO Plus couvre confortablement un système d'exploitation, une dizaine de jeux AAA installés et de l'espace de travail courant. C'est la capacité d'entrée recommandée pour quitter définitivement le HDD ou le SSD SATA, sans débourser le prix d'un SSD 2 To. Compatible PS5 avec dissipateur adapté, et installable sur n'importe quel slot M.2 2280 NVMe Gen 4 ou Gen 5.
Endurance certifiée et garantie Samsung 5 ans
Le 990 EVO Plus 1To est dimensionné pour 600 To TBW, un niveau d'endurance adapté à un usage intensif sur plusieurs années. Samsung assure la qualité de chaque module via ses propres chaînes V-NAND et couvre la référence par une garantie constructeur de 5 ans. La gamme EVO bénéficie du réseau SAV Samsung, avec des procédures de RMA éprouvées sur le marché français.
CARACTÉRISTIQUES CLÉS
Marque : Samsung
Gamme : 990 EVO Plus
Référence : MZ-V9S1T0BW
Capacité : 1 To
Format : M.2 2280
Interface : PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2 NVMe
Lecture séquentielle : jusqu'à 7 150 Mo/s
Écriture séquentielle : jusqu'à 6 300 Mo/s
Cache : HMB (Host Memory Buffer, sans DRAM)
NAND : Samsung V-NAND TLC
TBW : 600 To
Garantie : 5 ans
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